IXTH16N20D2

MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
IXTH16N20D2 P1
IXTH16N20D2 P2
IXTH16N20D2 P1
IXTH16N20D2 P2
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IXYS ~ IXTH16N20D2

Artikelnummer
IXTH16N20D2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTH16N20D2.pdf IXTH16N20D2 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXTH16N20D2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 208nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 695W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 8A, 0V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Fall TO-247-3

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