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| Numéro d'article | IXTA08N100D2HV |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 800mA (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
| FET Caractéristique | Depletion Mode |
| Dissipation de puissance (Max) | 60W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263HV |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | - | 0 | Détails |
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IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 0 | Détails | |
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IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFET N-CH | - | 29271 | Détails |
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IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | - | 0 | Détails |
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IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | - | 0 | Détails |
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IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | 596 | Détails |