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品番 | IXTA08N100D2HV |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1000V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800mA (Tj) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 25µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 14.6nC @ 5V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 325pF @ 25V |
FET機能 | Depletion Mode |
消費電力(最大) | 60W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263HV |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |