IXTA08N50D2

MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
IXTA08N50D2 P1
IXTA08N50D2 P1
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IXYS ~ IXTA08N50D2

品番
IXTA08N50D2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTA08N50D2.pdf IXTA08N50D2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTA08N50D2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 800mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 312pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 60W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.6 Ohm @ 400mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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