IXFB30N120Q2

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB30N120Q2 P1
IXFB30N120Q2 P1
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IXYS ~ IXFB30N120Q2

Numéro d'article
IXFB30N120Q2
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IXFB30N120Q2 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFB30N120Q2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS264™
Paquet / cas ISOPLUS264™

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