IXFB30N120Q2

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB30N120Q2 P1
IXFB30N120Q2 P1
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IXYS ~ IXFB30N120Q2

Artikelnummer
IXFB30N120Q2
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFB30N120Q2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS264™
Paket / Fall ISOPLUS264™

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