FF150R12KT3GHOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 150A
FF150R12KT3GHOSA1 P1
FF150R12KT3GHOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FF150R12KT3GHOSA1

Numéro d'article
FF150R12KT3GHOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FF150R12KT3GHOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FF150R12KT3GHOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 225A
Puissance - Max 780W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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