FF150R12KT3GHOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 150A
FF150R12KT3GHOSA1 P1
FF150R12KT3GHOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FF150R12KT3GHOSA1

номер части
FF150R12KT3GHOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FF150R12KT3GHOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FF150R12KT3GHOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 225A
Мощность - макс. 780W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты