DF200R12PT4B6BOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12PT4B6BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ DF200R12PT4B6BOSA1

Numéro d'article
DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DF200R12PT4B6BOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article DF200R12PT4B6BOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300A
Puissance - Max 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 15µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 12.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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