Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 300A |
| Leistung max | 1100W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 15µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 12.5nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A | - | 699 | Einzelheiten |
|
DF200R12PT4B6BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A | - | 356 | Einzelheiten |
|
DF200R12W1H3B27BOMA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A | - | 1274 | Einzelheiten |
|
DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 | - | 795 | Einzelheiten |
|
DF200R12W1H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1 | 0 | Einzelheiten |