BSZ0901NSI

MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
BSZ0901NSI P1
BSZ0901NSI P1
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Infineon Technologies ~ BSZ0901NSI

Numéro d'article
BSZ0901NSI
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BSZ0901NSI
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Paquet / cas 8-PowerTDFN

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