BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
BSO615CGHUMA1 P1
BSO615CGHUMA1 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Infineon Technologies ~ BSO615CGHUMA1

Numéro d'article
BSO615CGHUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BSO615CGHUMA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article BSO615CGHUMA1
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-8

Produits connexes

Tous les produits