BSO612CV

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
BSO612CV P1
BSO612CV P1
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Infineon Technologies ~ BSO612CV

Numéro d'article
BSO612CV
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article BSO612CV
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur P-DSO-8

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