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| Numéro d'article | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Full Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
| Puissance - Max | 80W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 400µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Module |
| Package de périphérique fournisseur | Module |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSM10GD120DN2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 | - | 1157 | Détails |
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 | - | 1157 | Détails |