BSM10GD120DN2E3224BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 P1
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Artikelnummer
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BSM10GD120DN2E3224BOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 15A
Leistung max 80W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 530pF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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