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| Numéro d'article | BSC072N03LDGATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Puissance - Max | 57W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-PowerVDFN |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TDSON-8 Dual |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSC072N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | 0 | Détails | |
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BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 20000 | Détails |
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BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 113136 | Détails |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 0 | Détails |