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| Número de pieza | BSC072N03LDGATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Potencia - Max | 57W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 Dual |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSC072N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | 0 | Detalles | |
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BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 20000 | Detalles |
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BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 113136 | Detalles |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 0 | Detalles |