NDS8858H

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
NDS8858H P1
NDS8858H P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ NDS8858H

Numéro d'article
NDS8858H
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NDS8858H
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.3A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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