NDS8858H

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
NDS8858H P1
NDS8858H P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ NDS8858H

Artikelnummer
NDS8858H
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NDS8858H.pdf NDS8858H PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NDS8858H
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.3A, 4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

Verwandte Produkte

Alle Produkte