IRLM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
IRLM120ATF P1
IRLM120ATF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ IRLM120ATF

Numéro d'article
IRLM120ATF
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IRLM120ATF
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.15A, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-223-4
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA

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