IRLM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
IRLM120ATF P1
IRLM120ATF P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ IRLM120ATF

Artikelnummer
IRLM120ATF
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLM120ATF
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.7W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.15A, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223-4
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA

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