EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2111 P1
EPC2111 P1
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EPC ~ EPC2111

Numéro d'article
EPC2111
Fabricant
EPC
La description
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article EPC2111
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Die

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