EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2111 P1
EPC2111 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

EPC ~ EPC2111

品番
EPC2111
メーカー
EPC
説明
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 EPC2111
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die

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