Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | S2BA-13 |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1.5A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AC, SMA |
| Package de périphérique fournisseur | SMA |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S2B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 3000 | Détails |
 |
S2B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 811285 | Détails |
|
S2B R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 652210 | Détails |
 |
S2B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | 0 | Détails | |
 |
S2B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | - | 12000 | Détails |
 |
S2B-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | 6000 | Détails | |
 |
S2B-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | 0 | Détails | |
 |
S2B-EH | JST Sales America Inc. | CONN HEADER EH SIDE 2POS 2.5MM | 0 | Détails | |
 |
S2B-EH(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER EH SIDE 2POS 2.5MM | 36961 | Détails | |
|
S2B-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V DO214AA | - | 0 | Détails |
 |
S2B-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 100V DO-214AA | - | 0 | Détails |
 |
S2B-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 100V DO-214AA | - | 0 | Détails |