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| Numero di parte | S2BA-13 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMA |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S2B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 3000 | Dettagli |
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S2B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 811285 | Dettagli |
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S2B R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | - | 652210 | Dettagli |
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S2B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | 0 | Dettagli | |
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S2B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB | - | 12000 | Dettagli |
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S2B-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | 6000 | Dettagli | |
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S2B-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA | 0 | Dettagli | |
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S2B-EH | JST Sales America Inc. | CONN HEADER EH SIDE 2POS 2.5MM | 0 | Dettagli | |
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S2B-EH(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | CONN HEADER EH SIDE 2POS 2.5MM | 36961 | Dettagli | |
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S2B-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V DO214AA | - | 0 | Dettagli |
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S2B-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 100V DO-214AA | - | 0 | Dettagli |
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S2B-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 100V DO-214AA | - | 0 | Dettagli |