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Diodes Incorporated ~ DMC2057UVT-13

Numéro d'article	DMC2057UVT-13
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 5A, 4.5V, 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	416pF @ 10V, 536pF @ 10V
Puissance - Max	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	TSOT-26

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
DMC2004DWK-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT-363	-	24000	Détails
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