DMC2020USD-13

MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
DMC2020USD-13 P1
DMC2020USD-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMC2020USD-13

Numéro d'article
DMC2020USD-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMC2020USD-13 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMC2020USD-13
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.8A, 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1149pF @ 10V
Puissance - Max 1.8W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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