CSD19506KCS

MOSFET N-CH 80V TO-220-3
CSD19506KCS P1
CSD19506KCS P1
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Texas Instruments ~ CSD19506KCS

Artikelnummer
CSD19506KCS
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer CSD19506KCS
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 156nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12200pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 375W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3

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