CSD13306W

MOSFET N-CH 12V 3.5A
CSD13306W P1
CSD13306W P1
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Texas Instruments ~ CSD13306W

Artikelnummer
CSD13306W
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer CSD13306W
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 6V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.9W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Fall 6-UFBGA, DSBGA

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