CSD13303W1015

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD13303W1015 P1
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Texas Instruments ~ CSD13303W1015

Artikelnummer
CSD13303W1015
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer CSD13303W1015
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 31A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.65W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-DSBGA
Paket / Fall 6-UFBGA, DSBGA

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