CSD13303W1015

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD13303W1015 P1
CSD13303W1015 P1
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Texas Instruments ~ CSD13303W1015

品番
CSD13303W1015
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- CSD13303W1015 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 CSD13303W1015
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 31A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 715pF @ 6V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.65W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-DSBGA
パッケージ/ケース 6-UFBGA, DSBGA

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