CSD13302WT

CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
CSD13302WT P1
CSD13302WT P1
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Texas Instruments ~ CSD13302WT

品番
CSD13302WT
メーカー
Texas Instruments
説明
CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 CSD13302WT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 862pF @ 6V
Vgs(最大) ±10V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 4-DSBGA (1x1)
パッケージ/ケース 4-UFBGA, DSBGA

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