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| Número de pieza | CSD13302WT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DSBGA (1x1) |
| Paquete / caja | 4-UFBGA, DSBGA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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