2SK3018T106

MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
2SK3018T106 P1
2SK3018T106 P2
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Rohm Semiconductor ~ 2SK3018T106

Artikelnummer
2SK3018T106
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer 2SK3018T106
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket UMT3
Paket / Fall SC-70, SOT-323

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