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Rohm Semiconductor ~ 2SK3019TL

Artikelnummer	2SK3019TL
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 5V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	150mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	EMT3
Paket / Fall	SC-75, SOT-416

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
2SK01980RL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3		3000	Einzelheiten
2SK060100L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR		0	Einzelheiten
2SK0601G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3		0	Einzelheiten
2SK0615	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP		0	Einzelheiten
2SK06620RL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK06630RL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK0663GRL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK066400L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK0664G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK066500L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK0665G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK1058-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P	-	0	Einzelheiten