2SK303000L

MOSFET N-CH 100V 8A UG-1
2SK303000L P1
2SK303000L P2
2SK303000L P1
2SK303000L P2
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Panasonic Electronic Components ~ 2SK303000L

Artikelnummer
2SK303000L
Hersteller
Panasonic Electronic Components
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 8A UG-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2SK303000L
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta), 15W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-G1
Paket / Fall U-G1

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