APTGT225DU170G

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
APTGT225DU170G P1
APTGT225DU170G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT225DU170G

Artikelnummer
APTGT225DU170G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Produktparameter

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Artikelnummer APTGT225DU170G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Dual, Common Source
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 340A
Leistung max 1250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 225A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6

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