MBR60030CTL

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
MBR60030CTL P1
MBR60030CTL P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ MBR60030CTL

Artikelnummer
MBR60030CTL
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MBR60030CTL
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 580mV @ 300A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 3mA @ 30V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Lieferantengerätepaket Twin Tower

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