MBR600100CTR

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
MBR600100CTR P1
MBR600100CTR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ MBR600100CTR

Artikelnummer
MBR600100CTR
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR600100CTR.pdf MBR600100CTR PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MBR600100CTR
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 300A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Kreuzung -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Lieferantengerätepaket Twin Tower

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