MBR600150CTR

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
MBR600150CTR P1
MBR600150CTR P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ MBR600150CTR

Artikelnummer
MBR600150CTR
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR600150CTR.pdf MBR600150CTR PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MBR600150CTR
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 300A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 3mA @ 150V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Lieferantengerätepaket Twin Tower

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