FDS3670

MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
FDS3670 P1
FDS3670 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS3670

Artikelnummer
FDS3670
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDS3670
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.3A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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