FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC
FDS3170N7 P1
FDS3170N7 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS3170N7

Artikelnummer
FDS3170N7
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDS3170N7.pdf FDS3170N7 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDS3170N7
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2714pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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