Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS2170N7

Artikelnummer	FDS2170N7
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1292pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	128 mOhm @ 3A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
FDS2070N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2070N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2170N3	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2170N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC		0	Einzelheiten
FDS2572	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC	-	22500	Einzelheiten
FDS2582	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC	-	10000	Einzelheiten
FDS2670	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO	-	2500	Einzelheiten
FDS2672	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	5000	Einzelheiten
FDS2672-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	10418	Einzelheiten
FDS2672_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC	-	52500	Einzelheiten
FDS2734	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC	-	10000	Einzelheiten
FDS3170N7	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC		0	Einzelheiten