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| Número de pieza | TPCC8009,LQ(O |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 200µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 12A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON | 3000 | Detalles | |
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TPCC8009,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV | 0 | Detalles | |
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TPCC8065-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV | - | 0 | Detalles |
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TPCC8093,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 309493 | Detalles |