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| Número de pieza | TPCC8008(TE12L,QM) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1A |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON |
| Paquete / caja | 8-VDFN Exposed Pad |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | 0 | Detalles | |
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TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON | 3000 | Detalles | |
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TPCC8009,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV | 0 | Detalles | |
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TPCC8093,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 309493 | Detalles |