TC58BVG0S3HBAI6

IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
TC58BVG0S3HBAI6 P1
TC58BVG0S3HBAI6 P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58BVG0S3HBAI6

Número de pieza
TC58BVG0S3HBAI6
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TC58BVG0S3HBAI6 PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza TC58BVG0S3HBAI6
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria EEPROM
Tecnología EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria 1Gb (128M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 67-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 67-VFBGA (6.5x8)

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