Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | TC58BVG0S3HBAI6 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Bellek Türü | Non-Volatile |
| Bellek Biçimi | EEPROM |
| teknoloji | EEPROM - NAND |
| Hafıza boyutu | 1Gb (128M x 8) |
| Saat Frekansı | - |
| Yaz Döngüsü Zamanı - Word, Sayfa | 25ns |
| Erişim süresi | 25ns |
| Bellek Arabirimi | Parallel |
| Gerilim - besleme | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | 67-VFBGA |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 67-VFBGA (6.5x8) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA | - | 49 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA | - | 56 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP | - | 99 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG0S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP | - | 477 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG1S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | - | 13764 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG1S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA | - | 0 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG1S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | - | 78 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG1S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP | - | 2 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG2S0HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA | - | 50 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG2S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | - | 72 | ayrıntılar |
 |
TC58BVG2S0HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | - | 162 | ayrıntılar |
 |
TC58BYG0S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE | - | 17435 | ayrıntılar |