TC58BYG2S0HBAI4

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
TC58BYG2S0HBAI4 P1
TC58BYG2S0HBAI4 P1
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Toshiba Memory America, Inc. ~ TC58BYG2S0HBAI4

Número de pieza
TC58BYG2S0HBAI4
Fabricante
Toshiba Memory America, Inc.
Descripción
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza TC58BYG2S0HBAI4
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 4G (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 63-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 63-TFBGA (9x11)

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