NCP81075MNTXG

HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
NCP81075MNTXG P1
NCP81075MNTXG P1
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ON Semiconductor ~ NCP81075MNTXG

Número de pieza
NCP81075MNTXG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NCP81075MNTXG PDF online browsing
Familia
PMIC - controladores de compuerta
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Número de pieza NCP81075MNTXG
Estado de la pieza Active
Configuración Impulsada High-Side or Low-Side
Tipo de canal Independent
Cantidad de controladores 2
Tipo de puerta N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje 8.5V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) 4A, 4A
Tipo de entrada Non-Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) 200V
Tiempo de subida / bajada (Tipo) 8ns, 7ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (4x4)

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