NCP81075MNTXG

HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
NCP81075MNTXG P1
NCP81075MNTXG P1
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ON Semiconductor ~ NCP81075MNTXG

Numéro d'article
NCP81075MNTXG
Fabricant
ON Semiconductor
La description
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article NCP81075MNTXG
État de la pièce Active
Configuration pilotée High-Side or Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 8.5V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Courant - sortie de crête (source, évier) 4A, 4A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 200V
Rise / Fall Time (Typ) 8ns, 7ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 140°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-DFN (4x4)

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